На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSCT817-25LT1G | NSCT817-25LT3G | NSCT817-40LT1G | NSCT817-40LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | <500 мА | <100 мА | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <225 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||