NSS12500UW3T2G

NSS12500, NSS12500UW3T2G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNSS12500UW3T2G
Корпус мікросхеми
Корпус
3-WDFN
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<12 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.5 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>250Ic, Vce = 1A, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<260 мВIb, Ic = 400mA, 4A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP