MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
46.2 нCVgs = 10V
46.2 нCVgs = 10V
46.2 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<107 Вт
<107 Вт
<107 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.71 нФVds = 25V
1.71 нФVds = 25V
1.71 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<73 А
<73 А
<73 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<8.1 мОмId, Vgs = 36A, 10V
<8.1 мОмId, Vgs = 36A, 10V
<8.1 мОмId, Vgs = 36A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
60 нCVgs = 10V
60 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<158 Вт
<158 Вт
 
 
 
 
 
 
2.35 нФVds = 25V
2.35 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<80 А
<80 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<12 мОмId, Vgs = 38A, 10V
<12 мОмId, Vgs = 38A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
150 нCVgs = 10V
150 нCVgs = 10V
 
Standard
Standard
 
 
 
 
<300 Вт
<300 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
7.02 нФVds = 25V
7.02 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<80 А
<80 А
<80 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<3.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V
<3.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
170 нCVgs = 10V
148 нCVgs = 10V
 
Standard
Standard
 
 
 
<300 Вт
<300 Вт
<300 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.98 нФVds = 25V
5.89 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<80 А
<80 А
<80 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<3.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V
<4 мОмId, Vgs = 80A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
SIPMOS®
OptiMOS™
 
187 нCVgs = 10V
170 нCVgs = 10V
 
Standard
Standard
 
 
 
 
<300 Вт
<300 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.66 нФVds = 25V
6.79 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<55 В
<80 А
<80 А
<80 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<7.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V
<4.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
180 нCVgs = 10V
233 нCVgs = 10V
 
Standard
Logic Level Gate
 
 
 
<300 Вт
<300 Вт
<300 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.13 нФVds = 25V
6.82 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<75 В
<75 В
<75 В
<80 А
<80 А
<80 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<7.1 мОмId, Vgs = 66A, 10V
<6.8 мОмId, Vgs = 67A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
240 нCVgs = 10V
240 нCVgs = 10V
240 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<250 Вт
<250 Вт
<250 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4.54 нФVds = 25V
4.54 нФVds = 25V
4.54 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<80 А
<80 А
<80 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<14 мОмId, Vgs = 58A, 10V
<14 мОмId, Vgs = 58A, 10V
<14 мОмId, Vgs = 58A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
173 нCVgs = 10V
173 нCVgs = 10V
173 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<340 Вт
<340 Вт
<340 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5.033 нФVds = 25V
5.033 нФVds = 25V
5.033 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<80 А
<80 А
<80 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<23 мОмId, Vgs = 64A, 10V
<23 мОмId, Vgs = 64A, 10V
<23 мОмId, Vgs = 64A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
CoolMOS™
CoolMOS™
5 нCVgs = 10V
5 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<11 Вт
<11 Вт
 
 
 
 
 
 
100 пФVds = 25V
100 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<650 В
<650 В
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
CoolMOS™
CoolMOS™
9 нCVgs = 10V
9 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<25 Вт
<25 Вт
 
 
 
 
 
 
190 пФVds = 25V
190 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<560 В
<560 В
<1.8 А
<1.8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3 ОмId, Vgs = 1.1A, 10V
<3 ОмId, Vgs = 1.1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies