SPB80N03S2-03G

SPB80N03, SPB80N03S2-03, SPB80N03S2-03G, SPB80N03S2L-03, SPB80N03S2L-03G, SPB80N03S2L-04, SPB80N03S2L-04G, SPB80N03S2L-05, SPB80N03S2L-05G, SPB80N03S2L05T, SPB80N03S2L-06, SPB80N03S2L-06G, SPB80N03S2L06T

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSPB80N03S2-03SPB80N03S2-03GSPB80N03S2L-03SPB80N03S2L-03GSPB80N03S2L-04SPB80N03S2L-04GSPB80N03S2L-05SPB80N03S2L-05GSPB80N03S2L05TSPB80N03S2L-06SPB80N03S2L-06GSPB80N03S2L06T
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<300 Вт<300 Вт<300 Вт<300 Вт<188 Вт<188 Вт<167 Вт<167 Вт<167 Вт<150 Вт<150 Вт<150 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
7.02 нФVds = 25V7.02 нФVds = 25V8.18 нФVds = 25V8.18 нФVds = 25V3.9 нФVds = 25V3.9 нФVds = 25V3.32 нФVds = 25V3.32 нФVds = 25V3.32 нФVds = 25V2.53 нФVds = 25V2.53 нФVds = 25V2.53 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<80 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<3.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V<3.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V<2.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V<2.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V<3.9 мОмId, Vgs = 80A, 10V<3.9 мОмId, Vgs = 80A, 10V<4.9 мОмId, Vgs = 55A, 10V<4.9 мОмId, Vgs = 55A, 10V<4.9 мОмId, Vgs = 55A, 10V<5.9 мОмId, Vgs = 80A, 10V<5.9 мОмId, Vgs = 80A, 10V<5.9 мОмId, Vgs = 80A, 10V
Серія MOSFET
Серія
OptiMOS™
Заряд затвору
QG
150 нCVgs = 10V150 нCVgs = 10V220 нCVgs = 10V220 нCVgs = 10V105 нCVgs = 10V105 нCVgs = 10V89.7 нCVgs = 10V89.7 нCVgs = 10V89.7 нCVgs = 10V68 нCVgs = 10V68 нCVgs = 10V68 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
StandardStandardLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level Gate