SPB80N06S2-05

SPB80N06, SPB80N06S-08, SPB80N06S2-05, SPB80N06S2-07, SPB80N06S2-08, SPB80N06S2-09, SPB80N06S2-H5, SPB80N06S2L-05, SPB80N06S2L-06, SPB80N06S2L-07, SPB80N06S2L-09, SPB80N06S2L-11, SPB80N06S2L-H5

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSPB80N06S-08SPB80N06S2-05SPB80N06S2-07SPB80N06S2-08SPB80N06S2-09SPB80N06S2-H5SPB80N06S2L-05SPB80N06S2L-06SPB80N06S2L-07SPB80N06S2L-09SPB80N06S2L-11SPB80N06S2L-H5
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Infineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<300 Вт<300 Вт<250 Вт<215 Вт<190 Вт<300 Вт<300 Вт<250 Вт<210 Вт<190 Вт<158 Вт<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
3.66 нФVds = 25V6.79 нФVds = 25V4.54 нФVds = 25V3.8 нФVds = 25V3.14 нФVds = 25V5.5 нФVds = 25V7.53 нФVds = 25V5.05 нФVds = 25V4.21 нФVds = 25V3.48 нФVds = 25V2.65 нФVds = 25V6.64 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<80 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<7.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V<4.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V<6.6 мОмId, Vgs = 68A, 10v<8 мОмId, Vgs = 58A, 10V<9.1 мОмId, Vgs = 50A, 10V<5.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V<4.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V<6.3 мОмId, Vgs = 69A, 10V<7 мОмId, Vgs = 60A, 10V<8.5 мОмId, Vgs = 52A, 10V<11 мОмId, Vgs = 40A, 10V<5 мОмId, Vgs = 80A, 10V
Серія MOSFET
Серія
SIPMOS®OptiMOS™OptiMOS™OptiMOS™OptiMOS™OptiMOS™OptiMOS™OptiMOS™OptiMOS™OptiMOS™OptiMOS™OptiMOS™
Заряд затвору
QG
187 нCVgs = 10V170 нCVgs = 10V110 нCVgs = 10V96 нCVgs = 10V80 нCVgs = 10V155 нCVgs = 10V230 нCVgs = 10V150 нCVgs = 10V130 нCVgs = 10V105 нCVgs = 10V80 нCVgs = 10V190 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
StandardStandardStandardStandardStandardStandardLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level Gate