На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SPB80P06P | SPB80P06PG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <340 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.033 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <23 мОмId, Vgs = 64A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | |
Заряд затвору | QG | 173 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |