MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
NTHD3101
NTHD3101FT1G
NTHD3101FT3
▾
 
 
 
7.4 нCVgs = 4.5V
7.4 нCVgs = 4.5V
7.4 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
680 пФVds = 10V
680 пФVds = 10V
680 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<3.2 А
<3.2 А
<3.2 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<80 мОмId, Vgs = 3.2A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 3.2A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 3.2A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD3133P
NTHD3133PFT1G
NTHD3133PFT3G
 
 
 
7.4 нCVgs = 4.5V
7.4 нCVgs = 4.5V
7.4 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
680 пФVds = 10V
680 пФVds = 10V
680 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<3.2 А
<3.2 А
<3.2 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<80 мОмId, Vgs = 3.2A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 3.2A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 3.2A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD4N02
NTHD4N02FT1
NTHD4N02FT1G
 
 
 
4 нCVgs = 4.5V
4 нCVgs = 4.5V
4 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<910 мВт
<910 мВт
<910 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
300 пФVds = 10V
300 пФVds = 10V
300 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.9 А
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD4P02
NTHD4P02FT1G
 
 
6 нCVgs = 4.5V
6 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<1.1 Вт
<1.1 Вт
 
 
 
 
 
 
300 пФVds = 10V
300 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2.2 А
<2.2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<155 мОмId, Vgs = 2.2A, 4.5V
<155 мОмId, Vgs = 2.2A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHD5904N
NTHD5904NT1
NTHD5904NT1G
▾
 
 
 
6 нCVgs = 4.5V
6 нCVgs = 4.5V
6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<640 мВт
<640 мВт
<640 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
465 пФVds = 16V
465 пФVds = 16V
465 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.5 А
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<65 мОмId, Vgs = 3.3A, 4.5V
<65 мОмId, Vgs = 3.3A, 4.5V
<65 мОмId, Vgs = 3.3A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHS2101P
NTHS2101PT1
NTHS2101PT1G
 
 
 
30 нCVgs = 4.5V
30 нCVgs = 4.5V
30 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.3 Вт
<1.3 Вт
<1.3 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.4 нФVds = 6.4V
2.4 нФVds = 6.4V
2.4 нФVds = 6.4V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<8 В
<8 В
<8 В
<5.4 А
<5.4 А
<5.4 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<25 мОмId, Vgs = 5.4A, 4.5V
<25 мОмId, Vgs = 5.4A, 4.5V
<25 мОмId, Vgs = 5.4A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHS4101P
NTHS4101PT1G
 
 
35 нCVgs = 4.5V
35 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.3 Вт
<1.3 Вт
 
 
 
 
 
 
2.1 нФVds = 16V
2.1 нФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.8 А
<4.8 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<34 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V
<34 мОмId, Vgs = 4.8A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHS4111P
NTHS4111PT1G
 
 
28 нCVgs = 10V
28 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
1.5 нФVds = 24V
1.5 нФVds = 24V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.3 А
<3.3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<45 мОмId, Vgs = 4.4A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 4.4A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHS4166N
NTHS4166NT1G
 
 
9.2 нCVgs = 4.5V
9.2 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
900 пФVds = 15V
900 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4.9 А
<4.9 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<22 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V
<22 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTHS4501N
NTHS4501NT1
NTHS4501NT1G
 
 
 
9.1 нCVgs = 10V
9.1 нCVgs = 10V
9.1 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.3 Вт
<1.3 Вт
<1.3 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
462 пФVds = 24V
462 пФVds = 24V
462 пФVds = 24V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<4.9 А
<4.9 А
<4.9 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<38 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V
<38 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V
<38 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-ChipFET™
8-ChipFET™
8-ChipFET™
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor