На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTHS2101PT1 | NTHS2101PT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-ChipFET™ | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.3 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.4 нФVds = 6.4V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <8 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.4 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <25 мОмId, Vgs = 5.4A, 4.5V | |
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |