На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTHD4P02FT1G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-ChipFET™ |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 300 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.2 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <155 мОмId, Vgs = 2.2A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 6 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) |