На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTHD5904NT1 | NTHD5904NT1G | NTHD5904NT3 | NTHD5904NT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-ChipFET™ | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <640 мВт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 465 пФVds = 16V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.5 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <65 мОмId, Vgs = 3.3A, 4.5V | |||
Заряд затвору | QG | 6 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||