Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
BSR302
BSR302NL6327
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
750 пФVds = 15V
750 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.7 А
<3.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<23 мОмId, Vgs = 3.7A, 10V
<23 мОмId, Vgs = 3.7A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSR315
BSR315PL6327
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
176 пФVds = 25V
176 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<620 мА
<620 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<800 мОмId, Vgs = 620mA, 10V
<800 мОмId, Vgs = 620mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSR316
BSR316PL6327
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
165 пФVds = 25V
165 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<360 мА
<360 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<1.8 ОмId, Vgs = 360mA, 10V
<1.8 ОмId, Vgs = 360mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSR802
BSR802NL6327
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
1.447 нФVds = 10V
1.447 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3.7 А
<3.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<23 мОмId, Vgs = 3.7A, 2.5V
<23 мОмId, Vgs = 3.7A, 2.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSR92
BSR92PL6327
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
109 пФVds = 25V
109 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<140 мА
<140 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<11 ОмId, Vgs = 140mA, 10V
<11 ОмId, Vgs = 140mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSS100
 
<630 мВт
 
 
 
60 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
<100 В
<220 мА
 
 
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 220mA, 10V
 
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
BSS110
 
<630 мВт
 
 
 
40 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
<50 В
<170 мА
 
 
P-ch
<10 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
BSS119
BSS119E6327
BSS119E6433
▾
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<360 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
78 пФVds = 25V
78 пФVds = 25V
78 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<170 мА
<170 мА
<170 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSS123
BSS123_D87Z
BSS123-7
▾
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
73 пФVds = 25V
73 пФVds = 25V
60 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<170 мА
<170 мА
<170 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
BSS126
BSS126E6327
BSS126E6906
▾
 
 
 
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
28 пФVds = 25V
28 пФVds = 25V
28 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<600 В
<21 мА
<21 мА
<21 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V
<500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V
<500 ОмId, Vgs = 16mA, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies