На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSR802NL6327 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <500 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.447 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <23 мОмId, Vgs = 3.7A, 2.5V |
Серія MOSFET | Серія | OptiMOS™ |
Заряд затвору | QG | 4.7 нCVgs = 2.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |