На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BSS119E6327 | BSS119E6433 | BSS119E7796 | BSS119E7978 | BSS119L6327 | BSS119L6433 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | |||||
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <360 мВт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 78 пФVds = 25V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <170 мА | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V | |||||
Серія MOSFET | Серія | SIPMOS® | |||||
Заряд затвору | QG | 2.5 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||