BSS110

BSS110

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBSS110
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<630 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
40 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<50 В
Постійний струм стоку
IDSS
<170 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<10 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate