Високочастотні - Elcomps.com
Всього знайдено 1568 компонентів
ЗображенняІм'яfЕлементівСеріяP1dBKdBNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
870 МГц
870 МГц
870 МГц
 
 
 
2 Вт
2 Вт
2 Вт
 
16.2 дБ
15.5 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
25 В
25 В
25 В
7 А
7 А
7 А
 
 
 
 
LDMOS
LDMOS
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
PowerFLAT™ (5 x 5)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
870 МГц
870 МГц
870 МГц
 
 
 
2 Вт
2 Вт
2 Вт
16.3 дБ
16.3 дБ
16.3 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
40 В
40 В
40 В
8 А
8 А
8 А
 
 
 
LDMOS
LDMOS
LDMOS
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
870 МГц
 
4 Вт
17 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
40 В
2 А
 
LDMOS
 
 
 
 
SOT-89
STMicroelectronics
870 МГц
870 МГц
 
 
5 Вт
5 Вт
17 дБ
17 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
40 В
40 В
2 А
2 А
 
 
LDMOS
LDMOS
 
 
 
 
 
 
 
 
PowerFLAT™ (5 x 5)
PowerFLAT™ (5 x 5)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
870 МГц
870 МГц
870 МГц
 
 
 
15 Вт
15 Вт
15 Вт
16 дБ
16 дБ
16 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
40 В
40 В
40 В
5 А
5 А
5 А
 
 
 
LDMOS
LDMOS
LDMOS
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
870 МГц
945 МГц
 
 
 
10 Вт
10 Вт
10 Вт
 
17.3 дБ
17.5 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
40 В
40 В
40 В
7 А
7 А
7 А
 
 
 
LDMOS
LDMOS
LDMOS
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
M243
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
870 МГц
945 МГц
 
 
 
15 Вт
15 Вт
15 Вт
 
17 дБ
17.5 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
40 В
40 В
40 В
8 А
8 А
8 А
 
 
 
LDMOS
LDMOS
LDMOS
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
M243
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
400 МГц
400 МГц
 
 
 
 
 
 
4 дБ
4 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
30 В
30 В
 
 
 
 
JFET
JFET
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
960 МГц
960 МГц
960 МГц
GOLDMOS®
GOLDMOS®
GOLDMOS®
10 Вт
10 Вт
10 Вт
 
16 дБ
18.5 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
65 В
65 В
65 В
1 мкА
1 мкА
1 мкА
 
 
 
LDMOS
LDMOS
LDMOS
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
10-TSSOP
H32259-2
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
1.5 ГГц
1.5 ГГц
1.5 ГГц
GOLDMOS®
GOLDMOS®
GOLDMOS®
45 Вт
45 Вт
45 Вт
18 дБ
18 дБ
18 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
65 В
65 В
65 В
1 мкА
1 мкА
1 мкА
 
 
 
LDMOS
LDMOS
LDMOS
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies