На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PTF080101MV1 | PTF080101SV1 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 10-TSSOP | H32259-2 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 65 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | 1 мкА | |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | |
Частота | f | 960 МГц | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||
Серія MOSFET | Серія | GOLDMOS® | |
P1dB | P1dB | 10 Вт | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 16 дБ | 18.5 дБ |