PD85006

PD85006, PD85006L-E

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPD85006L-E
Корпус мікросхеми
Корпус
PowerFLAT™ (5 x 5)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
40 В
Постійний струм стоку
IDSS
2 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
LDMOS
Частота
f
870 МГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
5 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
17 дБ