На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PD85035C | PD85035-E | PD85035S-E | PD85035STR-E | PD85035TR-E | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | M243 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 40 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | 8 А | ||||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | LDMOS | ||||
Частота | f | 945 МГц | 870 МГц | 870 МГц | 870 МГц | 870 МГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |||||
P1dB | P1dB | 15 Вт | ||||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 17.5 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ |