Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<300 мА
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>50Ic, Vce = 2mA, 5V
>120Ic, Vce = 2mA, 5V
>120Ic, Vce = 2mA, 5V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
>50Ic, Vce = 2mA, 5V
>50Ic, Vce = 2mA, 5V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 2V
>160Ic, Vce = 100mA, 2V
>160Ic, Vce = 100mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>60Ic, Vce = 10mA, 2V
>100Ic, Vce = 100mA, 2V
>100Ic, Vce = 100mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<1.5 Вт
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
>40Ic, Vce = 10mA, 2V
>40Ic, Vce = 10mA, 2V
>40Ic, Vce = 10mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>30000Ic, Vce = 20mA, 2V
>30000Ic, Vce = 20mA, 2V
>30000Ic, Vce = 20mA, 2V
<1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP Darlington
PNP Darlington
PNP Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<1.2 А
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>30000Ic, Vce = 20mA, 2V
>30000Ic, Vce = 20mA, 2V
>30000Ic, Vce = 20mA, 2V
<1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 нА
<500 нА
<500 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<65 В
<65 В
<65 В
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
>110Ic, Vce = 2mA, 5V
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor