BC517_D26Z

BC517, BC517,112, BC517,116, BC517_D26Z, BC517_D27Z, BC517_D74Z, BC517_D75Z, BC517G, BC517_J35Z, BC517_L34Z, BC517RL1, BC517RL1G, BC517ZL1, BC517ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC517,112BC517,116BC517_D26ZBC517_D27ZBC517_D74ZBC517_D75ZBC517GBC517_J35ZBC517_L34ZBC517RL1BC517RL1GBC517ZL1BC517ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА<500 мА<1.2 А<1.2 А<1.2 А<1.2 А<1 А<1.2 А<1.2 А<1 А<1 А<1 А<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>30000Ic, Vce = 20mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<220 МГц<220 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<500 нА