BC548_D81Z

BC548, BC548A, BC548ABU, BC548A_J35Z, BC548ATA, BC548ATF, BC548ATFR, BC548B, BC548BBU, BC548BG, BC548B_J35Z, BC548BRL1, BC548BRL1G, BC548BTA, BC548BTAR, BC548BTF, BC548BTFR, BC548BU, BC548BZL1, BC548BZL1G, BC548C, BC548CBU, BC548CG, BC548C_J35Z, BC548CTA, BC548CTAR, BC548CTF, BC548CTFR, BC548CZL1, BC548CZL1G, BC548_D81Z, BC548_J35Z, BC548TA, BC548TAR, BC548TF, BC548TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BC548A	BC548ABU	BC548A_J35Z	BC548ATA	BC548ATF	BC548ATFR	BC548B	BC548BBU	BC548BG	BC548B_J35Z	BC548BRL1	BC548BRL1G	BC548BTA	BC548BTAR	BC548BTF	BC548BTFR	BC548BU	BC548BZL1	BC548BZL1G	BC548C	BC548CBU	BC548CG	BC548C_J35Z	BC548CTA	BC548CTAR	BC548CTF	BC548CTFR	BC548CZL1	BC548CZL1G	BC548_D81Z	BC548_J35Z	BC548TA	BC548TAR	BC548TF	BC548TFR
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<300 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<15 нА	(не задано)	<15 нА	(не задано)	<15 нА	<15 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<15 нА	<15 нА	<15 нА	(не задано)	<15 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<15 нА	<15 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)