Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<800 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<210 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor
<800 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<800 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<800 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<2 А
<2 А
<2 А
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>85Ic, Vce = 500mA, 1V
>85Ic, Vce = 500mA, 1V
>85Ic, Vce = 500mA, 1V
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
 
 
 
 
 
 
<45 МГц
<45 МГц
<45 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<1.5 А
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>85Ic, Vce = 500mA, 10V
>85Ic, Vce = 500mA, 10V
>85Ic, Vce = 500mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
 
 
 
 
 
 
<45 МГц
<45 МГц
<45 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
>10000Ic, Vce = 100mA, 5V
>10000Ic, Vce = 100mA, 5V
<1.1 ВIb, Ic = 250µA, 250mA
<1.1 ВIb, Ic = 250µA, 250mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<1.5 Вт
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
 
>10000Ic, Vce = 100mA, 5V
>10000Ic, Vce = 100mA, 5V
>10000Ic, Vce = 100mA, 5V
<1.1 ВIb, Ic = 250µA, 250mA
<1.1 ВIb, Ic = 250µA, 250mA
<1.1 ВIb, Ic = 250µA, 250mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
 
 
<180 В
<400 мВт
 
>30Ic, Vce = 10mA, 10V
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-18
STMicroelectronics
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<625 мВт
<625 мВт
 
 
>50Ic, Vce = 2mA, 5V
>50Ic, Vce = 2mA, 5V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
ON Semiconductor