На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC369,112 | BC369_D27Z | BC369_D74Z | BC369G | BC369_J35Z | BC369ZL1 | BC369ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | <1.5 А | <1.5 А | <1 А | <1.5 А | <1 А | <1 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <830 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 10V | >85Ic, Vce = 500mA, 10V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 10V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <500 мВIb, Ic = 100mA, 10A | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | <500 мВIb, Ic = 100mA, 10A | <500 мВIb, Ic = 100mA, 10A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <140 МГц | <45 МГц | <45 МГц | <65 МГц | <45 МГц | <65 МГц | <65 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||