BC368

BC368, BC368,112, BC368,126, BC368_D26Z, BC368_D27Z, BC368_D74Z, BC368G, BC368_J35Z, BC368_L34Z, BC368ZL1, BC368ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BC368,112	BC368,126	BC368_D26Z	BC368_D27Z	BC368_D74Z	BC368G	BC368_J35Z	BC368_L34Z	BC368ZL1	BC368ZL1G
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<1 А	<1 А	<2 А	<2 А	<2 А	<1 А	<2 А	<2 А	<1 А	<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<830 мВт	<830 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>85Ic, Vce = 500mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 10A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 10A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 10A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<170 МГц	<170 МГц	<45 МГц	<45 МГц	<45 МГц	<65 МГц	<45 МГц	<45 МГц	<65 МГц	<65 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN