Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
2SA1941
2SA1941-O(Q,T)
<10 А
<10 А
 
 
 
 
<140 В
<140 В
<100 Вт
<100 Вт
 
 
>80Ic, Vce = 1A, 5V
>80Ic, Vce = 1A, 5V
<2 ВIb, Ic = 700mA, 7A
<2 ВIb, Ic = 700mA, 7A
 
 
 
 
<30 МГц
<30 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-3P
TO-3P
Toshiba
Toshiba
2SA1943
2SA1943-O
2SA1943-O(Q)
▾
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
 
 
 
<230 В
<230 В
<230 В
<150 Вт
<150 Вт
<150 Вт
 
 
 
 
>80Ic, Vce = 1A, 5V
>80Ic, Vce = 1A, 5V
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
 
 
 
 
 
 
<30 МГц
<30 МГц
<30 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
 
2-21F1A (TO-247 L)
2-21F1A (TO-247 L)
 
Toshiba
Toshiba
2SA1952
2SA1952TLQ
<5 А
<5 А
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>120Ic, Vce = 1A, 2V
>120Ic, Vce = 1A, 2V
<300 мВIb, Ic = 150mA, 3A
<300 мВIb, Ic = 150mA, 3A
 
 
 
 
<80 МГц
<80 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2SA1962
2SA1962-O
2SA1962-O(Q)
▾
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
 
 
 
<230 В
<230 В
<230 В
<130 Вт
<130 Вт
<130 Вт
 
 
 
 
>80Ic, Vce = 1A, 5V
>80Ic, Vce = 1A, 5V
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
 
 
 
 
 
 
<30 МГц
<30 МГц
<30 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
 
2-16C1A (TO-247 N)
2-16C1A (TO-247 N)
 
Toshiba
Toshiba
2SA1972
2SA1972(TE6,F,M)
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<400 В
<400 В
<900 мВт
<900 мВт
 
 
>140Ic, Vce = 20mA, 5V
>140Ic, Vce = 20mA, 5V
<1 ВIb, Ic = 10mA, 100mA
<1 ВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
<35 МГц
<35 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Long Body), TO-226
TO-92-3 (Long Body), TO-226
Toshiba
Toshiba
2SA1987
2SA1987-O(Q)
<15 А
<15 А
 
 
 
 
<230 В
<230 В
<180 Вт
<180 Вт
 
 
>80Ic, Vce = 1A, 5V
>80Ic, Vce = 1A, 5V
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
 
 
 
 
<30 МГц
<30 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-3P(L) (2-21F1B)
TO-3P(L) (2-21F1B)
Toshiba
Toshiba
2SA20090
2SA20090SL
<20 мА
<20 мА
 
 
 
 
<120 В
<120 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>260Ic, Vce = 2mA, 5V
>260Ic, Vce = 2mA, 5V
<600 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<600 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
S-Mini3-G1 (SC 70)
S-Mini3-G1 (SC 70)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
2SA201000
2SA201000L
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<600 мВт
<600 мВт
 
 
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
>200Ic, Vce = 100mA, 2V
<140 мВIb, Ic = 10mA, 1A
<140 мВIb, Ic = 10mA, 1A
 
 
 
 
<180 МГц
<180 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Mini3-G1 (SC-59)
Mini3-G1 (SC-59)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
2SA2018
2SA2018TL
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 10mA, 2V
>270Ic, Vce = 10mA, 2V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
 
 
 
 
<260 МГц
<260 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2SA202800
2SA202800L
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 2V
>160Ic, Vce = 100mA, 2V
<100 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
<100 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
 
 
 
 
<170 МГц
<170 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
S-Mini3-G1 (SC 70)
S-Mini3-G1 (SC 70)
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG