На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SA1962-O | 2SA1962-O(Q) | 2SA1962OTU | 2SA1962RTU | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-16C1A (TO-247 N) | 2-16C1A (TO-247 N) | TO-3P | TO-3P |
Производитель | Производитель | Toshiba | Toshiba | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <15 А | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <230 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <130 Вт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 1A, 5V | >80Ic, Vce = 1A, 5V | >80Ic, Vce = 1A, 5V | >55Ic, Vce = 1A, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <3 ВIb, Ic = 800mA, 8A | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <30 МГц | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||