На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SA1941-O(Q,T) | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-3P |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <10 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <140 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <100 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >80Ic, Vce = 1A, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2 ВIb, Ic = 700mA, 7A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <30 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP |