MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
 
34 нCVgs = 10V
34 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
1.68 нФVds = 20V
1.68 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<85 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<85 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
33 нCVgs = 10V
33 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
1.6 нФVds = 20V
1.6 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<225 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<225 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
28 нCVgs = 10V
28 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
1.4 нФVds = 10V
1.4 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<15 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<15 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
21 нCVgs = 4V
21 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.4 Вт
<1.4 Вт
 
 
 
 
 
 
1.74 нФVds = 10V
1.74 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<9 А
<9 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<16 мОмId, Vgs = 4A, 4V
<16 мОмId, Vgs = 4A, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
HEXFET®
HEXFET®
420 нCVgs = 10V
420 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<500 Вт
<500 Вт
 
 
 
 
 
 
6.9 нФVds = 25V
6.9 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<38 А
<38 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<130 мОмId, Vgs = 23A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 23A, 10V
 
 
На шасси/провод
На шасси/провод
SOT-227
SOT-227
Vishay/Semiconductors
Vishay/Semiconductors
HEXFET®
HEXFET®
338 нCVgs = 10V
338 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<625 Вт
<625 Вт
 
 
 
 
 
 
10 нФVds = 25V
10 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<57 А
<57 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<80 мОмId, Vgs = 34A, 10V
<80 мОмId, Vgs = 34A, 10V
 
 
На шасси/провод
На шасси/провод
SOT-227
SOT-227
Vishay/Semiconductors
Vishay/Semiconductors
HEXFET®
HEXFET®
380 нCVgs = 10V
380 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<480 Вт
<480 Вт
 
 
 
 
 
 
10.7 нФVds = 25V
10.7 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<180 А
<180 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6.5 мОмId, Vgs = 108A, 10V
<6.5 мОмId, Vgs = 108A, 10V
 
 
На шасси/провод
На шасси/провод
SOT-227
SOT-227
Vishay/Semiconductors
Vishay/Semiconductors
SuperFET™
SuperFET™
70 нCVgs = 10V
70 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<167 Вт
<167 Вт
 
 
 
 
 
 
2.25 нФVds = 25V
2.25 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<16 А
<16 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<260 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<260 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-3PN-3
TO-3PN-3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
SuperFET™
SuperFET™
SuperFET™
98 нCVgs = 10V
98 нCVgs = 10V
98 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<208 Вт
<208 Вт
<208 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.08 нФVds = 25V
3.08 нФVds = 25V
3.08 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<600 В
<20 А
<20 А
<20 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<190 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<190 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<190 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-3PN-3
TO-3PN-3
TO-3PN-3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
SupreMOS™
SupreMOS™
45 нCVgs = 10V
45 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<205 Вт
<205 Вт
 
 
 
 
 
 
1.95 нФVds = 100V
1.95 нФVds = 100V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<22 А
<22 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<165 мОмId, Vgs = 11A, 10V
<165 мОмId, Vgs = 11A, 10V
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-3PN
TO-3PN
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor