На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FCA20N60F | FCA20N60_F109 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-3PN-3 | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <208 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.08 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <20 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <190 мОмId, Vgs = 10A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | SuperFET™ | |
Заряд затвора | QG | 98 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |