ECH8305

ECH8305, ECH8305-TL-E

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрECH8305-TL-E
Производитель
Производитель
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.6 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.68 нФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<4 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<85 мОмId, Vgs = 2A, 10V
Заряд затвора
QG
34 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate