MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
BUZ32
BUZ32E3045A
BUZ32L3045A
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
 
 
 
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<75 Вт
<75 Вт
<75 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
530 пФVds = 25V
530 пФVds = 25V
530 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<9.5 А
<9.5 А
<9.5 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<400 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<400 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
 
В отверстия
Поверхностный
В отверстия
TO-220AB
TO-220AB, D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
TO-220AB, TO-220AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BUZ73
BUZ73A
BUZ73AE3046
▾
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
 
 
 
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<40 Вт
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
530 пФVds = 25V
530 пФVds = 25V
530 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<7 А
<5.5 А
<5.5 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
<600 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
<600 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-220AB
TO-220AB, TO-220AB
TO-220AB, TO-220
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BUZ80
BUZ80A
SIPMOS®
SIPMOS®
 
 
Standard
Standard
 
 
<100 Вт
<100 Вт
 
 
 
 
 
 
1.35 нФVds = 25V
1.35 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<800 В
<800 В
<3.6 А
<3.6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3 ОмId, Vgs = 2A, 10V
<3 ОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-220AB
TO-220AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies
CPC3703
CPC3703C
 
 
 
 
Depletion Mode
Depletion Mode
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
350 пФVds = 25V
350 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<360 мА
<360 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4 ОмId, Vgs = 200mA, 0V
<4 ОмId, Vgs = 200mA, 0V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-89
SOT-89
Clare
Clare
CPC5602
CPC5602C
CPC5602CTR
 
 
 
 
 
 
Depletion Mode
Depletion Mode
Depletion Mode
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
300 пФVds = 0V
300 пФVds = 0V
300 пФVds = 0V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<350 В
<350 В
<350 В
<5 мА
<5 мА
<5 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Clare
Clare
Clare
CPC5603
CPC5603C
CPC5603CTR
 
 
 
 
 
 
Depletion Mode
Depletion Mode
Depletion Mode
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
300 пФVds = 0V
300 пФVds = 0V
300 пФVds = 0V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<415 В
<415 В
<415 В
<5 мА
<5 мА
<5 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Clare
Clare
Clare
CPH3324
CPH3324-TL-E
 
 
6.4 нCVgs = 10V
6.4 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
265 пФVds = 20V
265 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<530 мОмId, Vgs = 600mA, 10V
<530 мОмId, Vgs = 600mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH3327
CPH3327-TL-E
 
 
7 нCVgs = 10V
7 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
245 пФVds = 20V
245 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<1.45 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
<1.45 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH3340
CPH3340-TL-E
 
 
16 нCVgs = 4V
16 нCVgs = 4V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.2 Вт
<1.2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.875 нФVds = 10V
1.875 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<4 мОмId, Vgs = 2.5A, 4V
<4 мОмId, Vgs = 2.5A, 4V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
CPH3341
CPH3341-TL-E
 
 
21.8 нCVgs = 10V
21.8 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.2 Вт
<1.2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.115 нФVds = 10V
1.115 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<45 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co