BUZ80

BUZ80, BUZ80A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUZ80A
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220AB
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<100 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.35 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<800 В
Постоянный ток стока
IDSS
<3.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<3 ОмId, Vgs = 2A, 10V
Серия MOSFET
Серия
SIPMOS®
FET Feature
FET Feature
Standard