BUZ32E3045A

BUZ32, BUZ32E3045A, BUZ32L3045A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUZ32E3045ABUZ32L3045A
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220AB, D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220AB, TO-220AB
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстия
Мощность
P
<75 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
530 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<9.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<400 мОмId, Vgs = 6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
SIPMOS®
FET Feature
FET Feature
Standard