MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
OptiMOS™
OptiMOS™
8.8 нCVgs = 4.5V
8.8 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
1.147 нФVds = 10V
1.147 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3.8 А
<3.8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<21 мОмId, Vgs = 3.8A, 4.5V
<21 мОмId, Vgs = 3.8A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
6.6 нCVgs = 5V
6.6 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
750 пФVds = 15V
750 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.7 А
<3.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<23 мОмId, Vgs = 3.7A, 10V
<23 мОмId, Vgs = 3.7A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
6 нCVgs = 10V
6 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
176 пФVds = 25V
176 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<620 мА
<620 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<800 мОмId, Vgs = 620mA, 10V
<800 мОмId, Vgs = 620mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
7 нCVgs = 10V
7 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
165 пФVds = 25V
165 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<360 мА
<360 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<1.8 ОмId, Vgs = 360mA, 10V
<1.8 ОмId, Vgs = 360mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
4.7 нCVgs = 2.5V
4.7 нCVgs = 2.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
1.447 нФVds = 10V
1.447 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3.7 А
<3.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<23 мОмId, Vgs = 3.7A, 2.5V
<23 мОмId, Vgs = 3.7A, 2.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
4.8 нCVgs = 10V
4.8 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
109 пФVds = 25V
109 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<140 мА
<140 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<11 ОмId, Vgs = 140mA, 10V
<11 ОмId, Vgs = 140mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-59
SC-59
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
2 нCVgs = 10V
Standard
 
<630 мВт
 
 
 
60 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
<100 В
<220 мА
 
 
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 220mA, 10V
 
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
 
 
Logic Level Gate
 
<630 мВт
 
 
 
40 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
<50 В
<170 мА
 
 
P-ch
<10 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
2.5 нCVgs = 10V
2.5 нCVgs = 10V
2.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<360 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
78 пФVds = 25V
78 пФVds = 25V
78 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<170 мА
<170 мА
<170 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
 
2.5 нCVgs = 10V
2.5 нCVgs = 10V
2.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Standard
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
73 пФVds = 25V
73 пФVds = 25V
60 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<170 мА
<170 мА
<170 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc