На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSS119E6327 | BSS119E6433 | BSS119E7796 | BSS119E7978 | BSS119L6327 | BSS119L6433 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | |||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <360 мВт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 78 пФVds = 25V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <170 мА | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6 ОмId, Vgs = 170mA, 10V | |||||
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | |||||
Заряд затвора | QG | 2.5 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||