BSS110

BSS110

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBSS110
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<630 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
40 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<50 В
Постоянный ток стока
IDSS
<170 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<10 ОмId, Vgs = 170mA, 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate