MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
OptiMOS™
OptiMOS™
800 пCVgs = 5V
800 пCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
143 пФVds = 10V
143 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<140 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<140 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
600 пCVgs = 5V
600 пCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
94 пФVds = 15V
94 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1.4 А
<1.4 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<160 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V
<160 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
34 нCVgs = 10V
34 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<28 Вт
<28 Вт
 
 
 
 
 
 
2.6 нФVds = 15V
2.6 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<63 А
<63 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<4.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
 
2.1 нCVgs = 4.5V
2.1 нCVgs = 4.5V
2.1 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<540 мВт
<540 мВт
<540 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
83 пФVds = 24V
83 пФVds = 24V
83 пФVds = 24V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<850 мА
<850 мА
<850 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 500mA, 4.5V
<400 мОмId, Vgs = 500mA, 4.5V
<400 мОмId, Vgs = 500mA, 4.5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
 
3.9 нCVgs = 4.5V
3.9 нCVgs = 4.5V
3.9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<417 мВт
<417 мВт
<417 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
152 пФVds = 16V
152 пФVds = 16V
152 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<1.05 А
<1.05 А
<1.05 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<200 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V
<200 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V
<200 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
TrenchMOS™
TrenchMOS™
10 нCVgs = 10V
10 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
 
 
 
190 пФVds = 10V
190 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1.9 А
<1.9 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<120 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<120 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
TrenchMOS™
TrenchMOS™
TrenchMOS™
1 нCVgs = 8V
1 нCVgs = 8V
1 нCVgs = 8V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<830 мВт
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
40 пФVds = 10V
40 пФVds = 10V
40 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<55 В
<335 мА
<335 мА
<335 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<4 ОмId, Vgs = 500mA, 4.5V
<4 ОмId, Vgs = 500mA, 4.5V
<4 ОмId, Vgs = 500mA, 4.5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
TrenchMOS™
TrenchMOS™
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
 
 
 
40 пФVds = 10V
40 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
<5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
TrenchMOS™
TrenchMOS™
4.6 нCVgs = 10V
4.6 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
 
 
 
138 пФVds = 25V
138 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<850 мА
<850 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<500 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
<500 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
TrenchMOS™
TrenchMOS™
1 нCVgs = 8V
1 нCVgs = 8V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<700 мВт
<700 мВт
 
 
 
 
 
 
40 пФVds = 10V
40 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5 ОмId, Vgs = 75mA, 2.5V
<5 ОмId, Vgs = 75mA, 2.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors