На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSH121,135 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <700 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 40 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <300 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 75mA, 2.5V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ |
Заряд затвора | QG | 1 нCVgs = 8V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |