BSD214SNL6327

BSD214, BSD214SNL6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBSD214SNL6327
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<500 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
143 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<140 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
Серия MOSFET
Серия
OptiMOS™
Заряд затвора
QG
800 пCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate