MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
OptiMOS™
OptiMOS™
33 нCVgs = 10V
33 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
2.7 нФVds = 30V
2.7 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<11 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<11 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
56 нCVgs = 10V
56 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<114 Вт
<114 Вт
 
 
 
 
 
 
3.7 нФVds = 50V
3.7 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<71 А
<71 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<11.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<11.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
11 нCVgs = 5V
11 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<43 Вт
<43 Вт
 
 
 
 
 
 
1.37 нФVds = 15V
1.37 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 А
<30 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<11.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<11.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
15 нCVgs = 10V
20 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<28 Вт
<28 Вт
<28 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.2 нФVds = 15V
1.5 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<39 А
<39 А
<39 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<12 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<12 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<12 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
25 нCVgs = 10V
68 нCVgs = 10V
 
Standard
Logic Level Gate
 
 
 
 
<66 Вт
<114 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.87 нФVds = 40V
4.9 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<80 В
<100 В
 
<55 А
<71 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<12.3 мОмId, Vgs = 33A, 10V
<12.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
73.1 нCVgs = 10V
73.1 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
3.67 нФVds = 15V
3.67 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<22.5 А
<22.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<13 мОмId, Vgs = 22.5A, 10V
<13 мОмId, Vgs = 22.5A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
29 нCVgs = 10V
29 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<114 Вт
<114 Вт
 
 
 
 
 
 
1.9 нФVds = 50V
1.9 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<63 А
<63 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<15.2 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<15.2 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
35 нCVgs = 10V
35 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<114 Вт
<114 Вт
 
 
 
 
 
 
2.5 нФVds = 50V
2.5 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<63 А
<63 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<15.9 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<15.9 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
31 нCVgs = 10V
31 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<125 Вт
<125 Вт
 
 
 
 
 
 
2.42 нФVds = 75V
2.42 нФVds = 75V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<19 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
34 нCVgs = 10V
34 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<78 Вт
<78 Вт
 
 
 
 
 
 
2.3 нФVds = 50V
2.3 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<45 А
<45 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<19.6 мОмId, Vgs = 45A, 10V
<19.6 мОмId, Vgs = 45A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies