На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC123N08NS3G | BSC123N10LSG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <66 Вт | <114 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.87 нФVds = 40V | 4.9 нФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <80 В | <100 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <55 А | <71 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <12.3 мОмId, Vgs = 33A, 10V | <12.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 25 нCVgs = 10V | 68 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |