На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC196N10NSG | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <78 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.3 нФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <45 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <19.6 мОмId, Vgs = 45A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ |
Заряд затвора | QG | 34 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |