MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
OptiMOS™
OptiMOS™
21 нCVgs = 5V
21 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<63 Вт
<63 Вт
 
 
 
 
 
 
2.67 нФVds = 15V
2.67 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<89 А
<89 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<4.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
35 нCVgs = 10V
46 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.8 нФVds = 15V
3.6 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
 
<80 А
<80 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
22 нCVgs = 5V
22 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<54 Вт
<54 Вт
 
 
 
 
 
 
2.82 нФVds = 15V
2.82 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<80 А
<80 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<5.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
34 нCVgs = 10V
34 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<57 Вт
<57 Вт
 
 
 
 
 
 
2.8 нФVds = 20V
2.8 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<81 А
<81 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<5.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
30 нCVgs = 10V
40 нCVgs = 10V
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<45 Вт
<45 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.4 нФVds = 15V
3.1 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
 
<71 А
<71 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
21 нCVgs = 5V
21 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<48 Вт
<48 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.67 нФVds = 15V
2.67 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
 
<73 А
<50 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<5.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<5.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
68 нCVgs = 10V
68 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<125 Вт
<125 Вт
 
 
 
 
 
 
4.9 нФVds = 50V
4.9 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<90 А
<90 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<6 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
67 нCVgs = 10V
67 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<69 Вт
<69 Вт
 
 
 
 
 
 
5.1 нФVds = 30V
5.1 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<6.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
18 нCVgs = 5V
18 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<60 Вт
<60 Вт
 
 
 
 
 
 
2.23 нФVds = 15V
2.23 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.2 мОмId, Vgs = 40A, 10V
<7.2 мОмId, Vgs = 40A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
50 нCVgs = 10V
50 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<69 Вт
<69 Вт
 
 
 
 
 
 
4 нФVds = 30V
4 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.6 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<7.6 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
TDSON-8
TDSON-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies