На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC050N03LSG | BSC050N03MSG | BSC050N04LSG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <50 Вт | <50 Вт | <57 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.8 нФVds = 15V | 3.6 нФVds = 15V | 3.7 нФVds = 20V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | <30 В | <40 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | <80 А | <85 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 35 нCVgs = 10V | 46 нCVgs = 10V | 47 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||