На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC057N03LSG | BSC057N03MSG | BSC057N08NS3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <45 Вт | <45 Вт | <114 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.4 нФVds = 15V | 3.1 нФVds = 15V | 3.9 нФVds = 40V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | <30 В | <80 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <71 А | <71 А | <100 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.7 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 30 нCVgs = 10V | 40 нCVgs = 10V | 56 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |