Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
<9 пФVds = 10V
<9 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
6 мА ~ 20 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
6 мА ~ 20 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
600 мВId = 100nA
600 мВId = 100nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
600 мВId = 100nA
600 мВId = 100nA
600 мВId = 100nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>30 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
 
<250 мВт
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<4 пФVds = 10V
<5 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
5 ВId = 0.5nA
5 ВId = 0.5nA
5 ВId = 0.5nA
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
 
4 мА ~ 10 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>4 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
 
 
 
 
<250 мВт
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<4 пФVds = 10V
<5 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
2.5 ВId = 0.5nA
2.5 ВId = 0.5nA
2.5 ВId = 0.5nA
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
 
1 мА ~ 10 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>1 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
<5 пФVds = 10V
<5 пФVds = 10V
 
 
 
 
1.2 ВId = 0.5nA
1.2 ВId = 0.5nA
 
 
 
 
<25 В
<25 В
200 мкА ~ 10 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
200 мкА ~ 10 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4 ВId = 0.5nA
4 ВId = 0.5nA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>50 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>50 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<25 Ом
<25 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5 ВId = 0.5nA
5 ВId = 0.5nA
 
 
 
 
<40 В
<40 В
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>20 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<40 Ом
<40 Ом
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
 
<250 мВт
<250 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
800 мВId = 0.5nA
800 мВId = 0.5nA
800 мВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
 
>8 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>8 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>8 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<60 Ом
<60 Ом
<60 Ом
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
NXP Semiconductors
ON Semiconductor