На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSR58,215 | BSR58LT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <250 мВт | <350 мВт |
Напряжение отсечки | U0 | 800 мВId = 0.5nA | 800 мВId = 1µA |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В | (не задано) |
Постоянный ток стока | IDSS | >8 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <60 Ом | |
Напряжение пробоя затвор-исток | VBRGSS | >40 В | |