На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFR31,215 | BFR31LT1 | BFR31LT1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <250 мВт | <225 мВт | <225 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | <4 пФVds = 10V | <5 пФVds = 10V | <5 пФVds = 10V |
Напряжение отсечки | U0 | 2.5 ВId = 0.5nA | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | 1 мА ~ 10 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V | >1 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V | >1 мАmin.: Vgs=0; Vds=10V |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||