Полевые тразисторы - Elcomps.com
Всего найдено 25 177 компонентов
ИзображениеИмяNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
 
<3 Вт
<15 Вт
 
>200при Iс = 0.5 А
>600при Iс = 2 А
 
 
 
 
 
20 пФ
100 пФ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<41 В
<41 В
<41 В
<20 В
<20 В
<20 В
<36 В
<36 В
<36 В
 
 
 
 
 
 
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
10 нАпри Uсз = 20В
10 нАпри Uсз = 20В
10 нАпри Uсз = 20В
700 пФ
700 пФ
700 пФ
80 пФ
80 пФ
80 пФ
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<60 В
<20 В
<20 В
<20 В
 
<50 В
<60 В
 
<15 А
<10 А
<30 Вт
<30 Вт
<30 Вт
MOSFET
MOSFET
MOSFET
P-ch
P-ch
P-ch
 
<300 мОм
<400 мОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>2300при Iс = 2 А
>2300при Iс = 2 А
>2300при Iс = 2 А
 
 
 
10 нАпри Uсз = 20В
10 нАпри Uсз = 20В
10 нАпри Uсз = 20В
600 пФ
600 пФ
600 пФ
150 пФ
150 пФ
150 пФ
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<70 В
<20 В
<20 В
<20 В
 
<50 В
<70 В
 
<15 А
<10 А
<30 Вт
<30 Вт
<30 Вт
MOSFET
MOSFET
MOSFET
N-ch
N-ch
N-ch
 
<100 мОм
<150 мОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 Вт
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
500 мкА
500 мкА
500 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<5 В
<5 В
<5 В
 
<500 В
<300 В
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
SIT
SIT
SIT
N-ch
N-ch
N-ch
<150 мОм
<150 мОм
<150 мОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 Вт
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
500 мкА
500 мкА
500 мкА
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<5 В
<5 В
<5 В
 
<800 В
<800 В
<5 А
<5 А
<5 А
 
 
 
SIT
SIT
SIT
N-ch
N-ch
N-ch
<150 мОм
<150 мОм
<150 мОм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
<32 пФVds = 10V
<32 пФVds = 10V
 
 
 
 
8 ВId = 10µA
8 ВId = 10µA
 
 
 
 
 
 
>300 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
>300 мкАmin.: Vgs=0; Vds=10V
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<7 пФVds = 15V
<7 пФVds = 15V
<7 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
500 мВId = 10nA
500 мВId = 10nA
500 мВId = 10nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>1 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>1 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>1 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<310 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<7 пФVds = 15V
<7 пФVds = 15V
<7 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
1 ВId = 10nA
1 ВId = 10nA
1 ВId = 10nA
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<7 пФVds = 15V
<7 пФVds = 15V
<7 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
2 ВId = 10nA
2 ВId = 10nA
2 ВId = 10nA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>4 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>4 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>4 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<7 пФVds = 15V
<7 пФVds = 15V
<7 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
750 мВId = 1µA
750 мВId = 1µA
750 мВId = 1µA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
>1 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>1 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
>1 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Доход от майнинга