На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N5458_D26Z | 2N5458_D27Z | 2N5458G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <625 мВт | <625 мВт | <310 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | <7 пФVds = 15V | ||
Напряжение отсечки | U0 | 1 ВId = 10nA | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | >2 мАmin.: Vgs=0; Vds=15V | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Напряжение пробоя затвор-исток | VBRGSS | >25 В | ||